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申请/专利权人：南京邮电大学
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263380A
主分类号：H01L33/48
分类号：H01L33/48;H01L33/00;B81B7/02;B81C3/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及信息材料和可见光通信技术领域，公开了一种异质集成梳齿MEMS调控应力的GaN基多量子阱光电子芯片，将经过刻蚀的SOI片与倒置的GaN基LED器件进行金—金键合，键合后进行背面刻蚀，使得LED器件和部分MEMS器件悬空。悬空后的结构可以通过控制MEMS引起光电子芯片的形变，使光电子芯片内部产生应力变化。再利用拉曼光谱等手段监测应力变化范围及过程，可用于研究不同应力、不同偏压条件下光电子芯片的出射光谱和探测光谱等参数。本发明首先在SOI片上制备MEMS器件，然后蒸镀电极，利用金‑金键合技术将将MEMS器件和GaN基多量子阱晶圆进行键合，在GaN基多量子阱晶圆上进行LED器件的制备，最后背面刻蚀使得器件悬空，实现对GaN基多量子阱光电子芯片进行应力调控。
主权项：1.一种异质集成梳齿MEMS调控应力的GaN基多量子阱光电子芯片，其特征在于，将经过刻蚀的SOI片与倒置的GaN基LED器件进行金-金键合，键合后进行背面刻蚀，使得LED器件和部分MEMS器件悬空；其结构从下往上依次包括：一硅衬底层；一生长在硅衬底上的BOX层；一生长在BOX上的Si层；一SiO2绝缘层；一蒸镀在SiO2层上的Au-Au键合层；一生长在量子阱有源层上的p型GaN层；一生长在n型GaN层上的GaN量子阱有源层；一n型GaN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种异质集成梳齿MEMS调控应力的GaN基多量子阱光电子芯片
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