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申请/专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日：2023-08-31
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN116913962B
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423;H01L29/49
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.11.07#实质审查的生效;2023.10.20#公开
摘要：本发明提供一种GaN器件及其制备方法，通过形成具有不同功函数的第一栅金属电极及第二栅金属电极，且使得第二栅金属电极位于具有较大功函数的第一栅金属电极的外围，从而可使得GaN器件具有不同的微区栅控能力，构成具有不同局部阀值电压的GaN器件，以使得GaN器件的gm‑VGS特性曲线中的峰值区间展宽，提升GaN器件的线性度。
主权项：1.一种GaN器件，其特征在于，所述GaN器件包括：基底，所述基底含GaN异质结；源金属电极及漏金属电极，所述源金属电极位于所述基底的一端，所述漏金属电极位于所述基底的另一端；栅金属电极，所述栅金属电极位于所述基底上，且所述栅金属电极位于所述源金属电极及所述漏金属电极之间，包括第一栅金属电极及第二栅金属电极，所述第一栅金属电极的功函数大于所述第二栅金属电极的功函数，且所述第二栅金属电极位于所述第一栅金属电极的外围，所述第二栅金属电极包围所述第一栅金属电极的侧面和顶面，所述第一栅金属电极及所述第二栅金属电极的底面均与所述基底接触构成具有不同局部阀值电压的GaN器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微半导体有限公司 GaN器件及其制备方法
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