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申请/专利权人：上海理想汽车科技有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263292A
主分类号：H01L29/36
分类号：H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种多层外延的MOSFET结构及其制备方法和MOSFET器件，属于半导体场效应晶体管技术领域。所述多层外延的MOSFET结构，包括衬底，其中，所述衬底上由下到上依次设置有第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第一外延层的掺杂浓度为ND1，厚度为t1，所述第二外延层的掺杂浓度为ND2，厚度为t2，所述第三外延层的掺杂浓度为ND3，厚度为t3；ND1ND2，ND3ND2，t1t2，t3t2。所述多层外延的MOSFET结构，通过各层掺杂浓度和厚度的优化，可以在保持器件良好耐压特性的情况下，使得导通电阻显著降低，功率损耗也随之降低。
主权项：1.一种多层外延的MOSFET结构，包括衬底，其特征在于，所述衬底上由下到上依次设置有第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第一外延层的掺杂浓度为ND1，厚度为t1，所述第二外延层的掺杂浓度为ND2，厚度为t2，所述第三外延层的掺杂浓度为ND3，厚度为t3；ND1ND2，ND3ND2，t1t2，t3t2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海理想汽车科技有限公司 一种多层外延的MOSFET结构及其制备方法和MOSFET器件
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