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申请/专利权人：天津理工大学
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255590A
主分类号：C04B35/565
分类号：C04B35/565;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/64;C04B38/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将碳化硅粉末、氧化铝粉末和磷酸混合均匀，得到原料A，将原料A和聚乙烯醇粘结剂混合均匀，得到陶瓷浆料，将所述陶瓷浆料于75～85℃保温30～150秒，得到陶瓷前驱体；将所述陶瓷前驱体于微波炉中升温至T1℃并于T1℃保温25～30min，再升温至T2℃并于T2℃保温30～50min，得到碳化硅多孔陶瓷，其中，T1＝500～600，T2＝1200～1350。氧化铝能与磷酸在高温下反应形成具有耐高温、高强度、热膨胀系数小、化学稳定性良好的无机磷酸铝，既能用作粘合剂，又能承当烧结助剂来增强碳化硅陶瓷基体，通过此配方制备的碳化硅多孔陶瓷，孔隙率高晶界纯净，无其他杂质相。
主权项：1.一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将碳化硅粉末、氧化铝粉末和磷酸混合均匀，得到原料A，其中，按质量份数计，所述碳化硅粉末、氧化铝粉末和磷酸的比为75～95：2～11：4～24；2将原料A和聚乙烯醇粘结剂混合均匀，得到陶瓷浆料，其中，制备所述聚乙烯醇粘结剂的方法为：将聚乙烯醇和去离子水混合，搅拌，得到聚乙烯醇粘结剂；按质量份数计，步骤1中所述碳化硅粉末和聚乙烯醇的比为73～77：1～3；3将所述陶瓷浆料于75～85℃保温30～150秒，得到陶瓷前驱体；4将所述陶瓷前驱体于微波炉中升温至T1℃并于T1℃保温25～30min，再升温至T2℃并于T2℃保温30～50min，得到碳化硅多孔陶瓷，其中，T1＝500～600，T2＝1200～1350。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
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