龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：厦门紫硅半导体科技有限公司
申请日：2024-02-22
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118256986A
主分类号：C30B15/10
分类号：C30B15/10;C30B29/36
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种溶液法生长碳化硅单晶的设备及生长方法，具体是：在籽晶提拉杆的下端连接籽晶托，籽晶托的下端固定碳化硅籽晶；石墨坩埚的上端设有开口，籽晶提拉杆的下端置于石墨坩埚内；石墨坩埚的内部设有石墨压件、硅和金属助溶剂，石墨压件作为反应容器或碳反应源被溶液腐蚀，金属助溶剂可增加碳在硅溶液中的溶解度；石墨坩埚的内侧镀有TaC涂层，TaC涂层用于隔绝石墨坩埚与金属助溶剂接触，避免石墨坩埚的腐蚀消耗；石墨坩埚的外侧设有感应线圈，感应线圈用于对石墨坩埚和石墨压件进行加热，金属助溶剂在高温下熔化成溶液并具有一定的碳溶解度，碳从石墨压件的表面溶于溶液，通过温度梯度和溶解度梯度传输至碳化硅籽晶的下方进行结晶。
主权项：1.一种溶液法生长碳化硅单晶的设备，其特征在于，包括籽晶提拉杆、石墨坩埚、TaC涂层、碳化硅籽晶、籽晶托、石墨压件、感应线圈；所述籽晶提拉杆的下端连接所述籽晶托，所述籽晶托的下端固定所述碳化硅籽晶；所述石墨坩埚的上端设有开口，所述籽晶提拉杆的下端置于所述石墨坩埚内；所述石墨坩埚的内部设有石墨压件、硅和金属助溶剂，所述石墨压件作为反应容器或碳反应源被溶液腐蚀，所述金属助溶剂可增加碳在硅溶液中的溶解度；所述石墨坩埚的内侧镀有TaC涂层，所述TaC涂层用于隔绝所述石墨坩埚与所述金属助溶剂接触，避免所述石墨坩埚的腐蚀消耗；所述石墨坩埚的外侧设有感应线圈，所述感应线圈用于对石墨坩埚和石墨压件进行加热，所述金属助溶剂在高温下熔化成溶液并具有一定的碳溶解度，碳从所述石墨压件的表面溶于溶液，通过温度梯度和溶解度梯度传输至所述碳化硅籽晶的下方进行结晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门紫硅半导体科技有限公司 一种溶液法生长碳化硅单晶的设备及生长方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号