龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248706A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种增加红外焦平面电学连通率的电极结构及其制备方法。该方法依据光敏芯片与读出电路倒焊互连时的偏移规律，设计并制备光敏芯片矩形电极结构；在倒焊互连过程中，增加读出电路铟柱与光敏芯片矩形电极和铟柱的接触面积，在倒焊偏移存在的情况下，提高了光敏芯片与读出电路耦合互连的电学连通率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列，有效降低红外焦平面探测器盲元率。
主权项：1.一种增加红外焦平面电学连通率的电极结构，其特征在于：所述结构由光敏芯片和读出电路组成，所述光敏芯片包括：矩形扩展电极结构、铟柱，所述光敏芯片上依据实际倒焊互连偏移规律设计矩形扩展电极结构，铟柱采用常规设计；所述读出电路上铟柱阵列采用常规设计及工艺制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种增加红外焦平面电学连通率的电极结构及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号