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一种富含硒空位的二硒化钼/氮掺杂碳纳米管/硫复合材料及其制备方法和应用 

申请/专利权人:安徽师范大学

申请日:2024-03-13

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118248851A

主分类号:H01M4/36

分类号:H01M4/36;H01M4/48;H01M4/587;H01M4/38;H01M10/052;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M4/62;H01M4/13;H01M4/133

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明公开了一种富含硒空位的二硒化钼氮掺杂碳纳米管硫复合材料及其制备方法和应用,采用模板法,通过三氧化钼纳米棒获得聚吡咯包覆的三氧化钼纳米棒材料,再依次制备出三氧化钼二氧化钼氮掺杂碳纳米棒、二硒化钼纳米片氮掺杂碳纳米管二氧化钼、富含硒空位的二硒化钼纳米片修饰氮掺杂碳纳米管封装二硒化钼复合材料和富含硒空位的二硒化钼纳米片修饰氮掺杂碳纳米管封装二硒化钼硫复合材料;具有管状结构和较大的比表面积,可以有效缓解正极的体积膨胀,同时为LiPS提供有效的锚定位点,此外,二硒化钼是一种典型的类石墨烯结构过渡金属层状化合物,拥有丰富的电化学催化活性位点,且具有良好的锂离子传输效率。

主权项:1.一种富含硒空位的二硒化钼纳米片修饰氮掺杂碳纳米管封装二硒化钼硫复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:1将三氧化钼纳米棒材料、吡咯超声分散于去离子水中,0~10℃摇床振荡5~48h,然后于80~220℃水热反应6~48h,冷却后经过滤、洗涤、干燥,得到聚吡咯包覆的三氧化钼纳米棒材料;再将其在惰性气氛中进行高温碳化,得到三氧化钼二氧化钼氮掺杂碳纳米棒材料;2将三氧化钼二氧化钼氮掺杂碳纳米棒材料与硒粉分散于溶剂中,再加入水合肼,然后于170~240℃溶剂热反应6~48h,冷却后经过滤、洗涤、干燥,得到二硒化钼纳米片氮掺杂碳纳米管二氧化钼材料;3将二硒化钼纳米片氮掺杂碳纳米管二氧化钼材料和硒粉在还原性气氛中进行高温反应得到二硒化钼纳米片修饰氮掺杂碳纳米管封装二硒化钼复合材料,再将其加入到硼氢化钠溶液中,于220~280℃水热反应5~48h,冷却后经过滤、洗涤、干燥,得到富含硒空位的二硒化钼纳米片修饰氮掺杂碳纳米管封装二硒化钼复合材料;4将富含硒空位的二硒化钼纳米片修饰氮掺杂碳纳米管封装二硒化钼复合材料与硫粉混合均匀,在惰性气氛中密封加热进行熏硫,得到富含硒空位的二硒化钼纳米片修饰氮掺杂碳纳米管封装二硒化钼硫复合材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽师范大学 一种富含硒空位的二硒化钼/氮掺杂碳纳米管/硫复合材料及其制备方法和应用

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