申请/专利权人：宁波德晶元科技有限公司

申请日：2018-12-18

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN111342828B

主分类号：H03K17/22

分类号：H03K17/22;H03K17/284

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本发明公开了一种多电压域复位延迟电路，用以解决现有技术的复位延迟电路使用比较器占用较大面积，集成性低，不能控制复位时间以及不具备电压监控的问题，本电路包括偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路；所述偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路之间电连接。本复位延迟电路，能够实现多电压域复位，其利用NMOS管和PMOS管组合替代比较器，系统集成性高，并且复位时间可控，输出信号稳定以及具有电压监控特性，可以根据VCC变换输出对应的高或者低电平。

主权项：1.一种多电压域复位延迟电路，其特征在于，包括：偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路；所述偏置电路包括：第一电流源、第一电流镜；其中，第一电流源的一端接地，第一电流源的另一端接第一电流镜的输入端，第一电流镜的另一端接第一电源电压VCC1；所述第一开关控制电路包括：第一MOS管M1、第一PMOS管MP0、第一NMOS管MN0以及第二电流镜；其中，第一MOS管M1的漏极和第一电流镜的输出端、第一PMOS管MP0的栅极以及第一NMOS管MN0的栅极连接与结点A，第一MOS管M1的源极和第一NMOS管MN0的源极连接，第一NMOS管MN0的漏极和第一PMOS管MP0的漏极连接，第一PMOS管MP0的源极和第二电流镜的输入端连接，第二电流镜的另一端接第一电源电压VCC1；所述第二开关控制电路包括：第三电流镜、第二PMOS管MP1、第三PMOS管MP2、第四PMOS管MPK、第四NMOS管MN3，所述第三电流镜包括：第二NMOS管MN1和第三NMOS管MN2；其中，第二NMOS管MN1的漏极和第二电流镜的输出端、第二NMOS管MN1的栅极以及第三NMOS管MN2的栅极连接，第三NMOS管MN2的漏极和通过结点C和第四PMOS管MPK的栅极以及第二PMOS管MP1的漏极连接，第二PMOS管MP1的源极接第二电源电压VCC2，第二PMOS管MP1的栅极和第三PMOS管MP2的栅极以及第四NMOS管MN3的栅极连接，第三PMOS管MP2的源极接接第二电源电压VCC2，第三PMOS管MP2的漏极接第四PMOS管MPK的源极，第四PMOS管MPK的漏极和第四NMOS管MN3的漏极连接，第四NMOS管MN3的源极和复位信号产生电路的输入端以及第二电流源的一端连接，第二电流源的另一端接地；所述复位信号产生电路，包括电容C1和驱动器；其中，电容C1的一端和第四NMOS管MN3的源极以及通过结点B和驱动器的输入端连接，电容C1的另一端接地；驱动器包括施密特触发器，用于当结点B的电位达到施密特触发器的翻转电压时，输出复位信号；第一MOS管M1的源极和第一NMOS管MN0的源极接入预设第三电源电压VCC3。

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权利要求：

百度查询： 宁波德晶元科技有限公司 一种多电压域复位延迟电路

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