申请/专利权人：意法半导体股份有限公司

申请日：2020-09-21

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN112542994B

主分类号：H03B19/14

分类号：H03B19/14

优先权：["20190920 IT 102019000016871"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2021.04.09#实质审查的生效;2021.03.23#公开

摘要：本公开的实施例涉及一种用于三倍化频率的电子电路。在一个实施例中，用于三倍化频率的电路被配置成接收具有正弦形状和基频率的输入电压Vin。该电路具有交叉耦合的第一晶体管对和第二晶体管对，并且具有接近由下式给出的多项式标称变换特性的变换特性fVin：其中A表示输入电压的振幅，并且gm是第一晶体管对和第二晶体管对的晶体管的跨导。

主权项：1.一种用于三倍化频率的电路，所述电路包括：第一输入节点和第二输入节点，被配置成接收具有正弦形状和基频率的输入电压；以及第一晶体管对和第二晶体管对，所述第一晶体管对和所述第二晶体管对被交叉耦合，所述电路具有接近于由下式定义的多项式标称变换特性的变换特性： 其中Vin表示所述输入电压，A表示所述输入电压的振幅，gm是所述第一晶体管对和所述第二晶体管对中的晶体管的跨导；所述电路还包括第三输入节点和第四输入节点、以及第一输出节点和第二输出节点，并且其中：所述第一晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相应的第一导电端子和第二导电端子、以及相应的控制端子；所述第二晶体管对包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和第四晶体管具有相应的第一导电端子和第二导电端子、以及相应的控制端子；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的所述第一导电端子被耦合在一起；所述第一晶体管和所述第四晶体管的所述第二导电端子被耦合在一起，并且被耦合到所述第一输出节点；所述第二晶体管和所述第三晶体管的所述第二导电端子被耦合在一起，并且被耦合到所述第二输出节点；所述第一晶体管的所述控制端子被耦合到所述第一输入节点，并且被配置成接收所述输入电压的第一分数减去偏移电压；所述第二晶体管的所述控制端子被耦合到所述第二输入节点，并且被配置成接收所述输入电压的所述第一分数的反相减去偏移电压；所述第三晶体管的所述控制端子被耦合到所述第三输入节点，并且被配置成接收所述输入电压的第二分数；并且所述第四晶体管的所述控制端子被耦合到所述第四输入节点，并且被配置成接收所述输入电压的所述第二分数的反相，其中所述第二分数和所述偏移电压满足以下条件： 其中VOS表示所述偏移电压，并且α是基于所述第二分数的衰减因子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体股份有限公司 用于三倍化频率的电子电路

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