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申请/专利权人：深圳市合明科技有限公司
申请日：2023-09-11
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN117187004B
主分类号：C11D1/83
分类号：C11D1/83;C11D3/20;C11D3/37;C11D3/04;C11D3/33;C11D3/43;C11D3/60;C07C303/32;C07C309/44;C11D1/22;C11D1/72;C11D1/66
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开
摘要：本发明公开了一种半导体封装业用水基清洗剂及其制备方法，所述半导体封装业用水基清洗剂包含非离子表面活性剂、改性阴离子表面活性剂、有机溶剂、增效剂、缓蚀剂和水；所述改性阴离子表面活性剂具有如下式A所示结构。本发明提供的清洗剂是以水性溶液为主的无毒环保、安全性好的水基清洗剂，通过非离子表面活性剂、改性阴离子表面活性剂的复合使用，具有优异的清洁能力，清洁后无残留并且对基材等材料无腐蚀。
主权项：1.一种半导体封装业用水基清洗剂，其特征在于，按总质量分数为100%计，包含：非离子表面活性剂1-3%改性阴离子表面活性剂1-2%有机溶剂10-20%增效剂1-2%缓蚀剂1-2%余量为水；所述改性阴离子表面活性剂具有如下式A所示结构： ；所述非离子表面活性剂选自炔二醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯月桂醇醚、蔗糖脂肪酸酯中的至少一种；所述有机溶剂选自二丙二醇丙醚、二丙二醇乙醚、二丙二醇丁醚、二乙二醇己醚中的至少一种；所述增效剂选自聚乙烯醇、聚丙烯酸钠中的一种；所述缓蚀剂选自四硼酸钠、葡庚糖酸钠、聚天冬氨酸钠中的至少一种；所述改性阴离子表面活性剂通过以下步骤制备：（1）在反应器中，加入二异丙基萘、三氯化铝和溶剂，加热至60-70℃后滴加月桂酰氯，滴加结束后恒温反应2-3小时，过滤、蒸馏、提纯制得中间体；（2）在反应器中，加入步骤（1）制得的中间体，缓慢滴加浓硫酸，搅拌后升温至70-80℃反应2-3小时，加入氢氧化钠水溶液中和，萃取、提纯后制得所述改性阴离子表面活性剂；所述步骤（1）中二异丙基萘与月桂酰氯的摩尔比为1：2-2.2；所述步骤（2）中浓硫酸质量分数为95-98%；中间体与浓硫酸的质量比为6-7：1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市合明科技有限公司 一种半导体封装业用水基清洗剂及其制备方法
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