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申请/专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要：提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中，有机自由基例如，甲基CH3自由基可在远程等离子体源中通过激发和或解离氢和或惰性气体例如，Ar、He等并且随后与有机分子烷烃和烯烃反应生成。有机自由基例如，甲基CH3自由基可暴露于硅和或硅锗表面。在暴露于有机自由基后，硅和或硅锗表面可在空气中稳定一段时间例如，几天，同时减少表面氧化，使得可以有效地保护硅和或硅锗表面免受氧化。正因如此，可消除在随后工艺步骤前的天然表面氧化物去除工艺。
主权项：1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括半导体材料，所述方法包括在所述工件上进行基于有机自由基的表面处理工艺以保护工件免受氧化，所述基于有机自由基的表面处理工艺包括：使用第一腔室中诱导的等离子体生成一种或多种物质；以及将一种或多种烃分子与一种和多种物质混合以在从等离子体的下游流动处形成混合物，所述混合物包括一种或多种有机自由基；在第二腔室中将所述半导体材料的无氧化表面暴露于所述混合物，使得在一段时间期间保护所述无氧化表面免受表面氧化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 玛特森技术公司 北京屹唐半导体科技股份有限公司 半导体设备制造中材料去除和表面处理的整合
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