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申请/专利权人：华东师范大学

摘要：本发明公开了一种基于高阶电感网络的宽范围正交压控振荡器，该振荡器由两个压控振荡器核心与一个正交注入耦合电路构成，其中每一个压控振荡器核心均包含一个高阶电感网络。本发明采用带有开关电路的高阶电感网络，能够实现双谐振频率切换，并且通过开关电路对高阶电感网络的阻抗特性进行修正，本发明能使正交注入耦合电路实现更宽范围的细调谐。本发明实现了31.6~50GHz的宽频率调谐范围，相位噪声性能优良，为‑129dBcHz@10MHz，本发明可作为毫米波无线通信系统的本振信号源使用。

主权项：1.一种基于高阶电感网络的宽范围正交压控振荡器，其特征在于，该正交压控振荡器由两个互补型压控振荡器核心和一个正交注入耦合电路构成，其中每一个压控振荡器核心均包含一个高阶电感网络，使得压控振荡器核心的谐振腔阻抗幅频特性更加平坦，并且不恶化幅值大小，因此压控振荡器核心的谐振腔的工作频率范围能够变宽；通过开关电路对高阶电感网络的阻抗特性的修正，高阶电感网络的阻抗相频特性在工作频率范围内能够保持单调递减，实现该正交压控振荡器更宽范围的频率细调谐；所述两个互补型压控振荡器核心结构形同，其具体形式为：第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的源极和第三NMOS管M3的漏极相接，第一NMOS管M1的漏极和第二NMOS管M2的栅极接第一输出端VON，第一NMOS管M1的栅极和第二NMOS管M2的漏极接第二输出端VOP；第三NMOS管M3的栅极接第一频率控制电压Vctrl1，第三NMOS管M3的源极接地；第一电感L1的一端、第二电感L2的一端、第三电感L3的一端和第四电感L4的一端相接，第一电感L1的另一端与第一输出端VON相接，第二电感L2的另一端与第二输出端VOP相接，第三电感L3的另一端与第一正端VP相接，第四电感L4的另一端与第一负端VN相接；第一开关电路SW1的第一负端Vn1与第一输出端VON相接，第一开关电路SW1的第一正端Vp1与第一负端VN相接，第二开关电路SW2的第一正端Vp2与第二输出端VOP相接，第二开关电路SW2的第一负端Vn2与第一正端VP相接，第三开关电路SW3的第一负端Vn3与第一输出端VON相接，第三开关电路SW3的第一正端Vp3与第一正端VP相接，第四开关电路SW4的第一负端Vn4与第二输出端VOP相接，第四开关电路SW4的第一正端Vp4与第一负端VN相接；第一PMOS管M4的源极和第二PMOS管M5的源极接到电源电压AVDD，第一PMOS管M4的漏极和第二PMOS管M5的栅极接到第一负端VN，第一PMOS管M4的栅极和第二PMOS管M5的漏极接到第一正端VP；所述的正交注入耦合电路，具体形式为：第六NMOS管M6的漏极和第八NMOS管M8的栅极接到第一振荡器核心的第一输出端VON作为所述的宽范围正交压控振荡器的第一输出端V0°，第七NMOS管M7的漏极和第九NMOS管M9的栅极接到第一振荡器核心的第二输出端VOP作为所述的宽范围正交压控振荡器的第二输出端V180°，第七NMOS管M7的栅极和第八NMOS管M8的漏极接到第二振荡器核心的第一输出端VON作为所述的宽范围正交压控振荡器的第三输出端V90°，第六NMOS管M6的栅极和第九NMOS管M9的漏极接到第二振荡器核心的第二输出端VOP作为所述的宽范围正交压控振荡器的第四输出端V270°，第六NMOS管M6的源极和第八NMOS管M8的源极与第十NMOS管M10的漏极相接，第七NMOS管M7的源极和第九NMOS管M9的源极与第十一NMOS管M11的漏极相接；第十NMOS管M10的栅极与第十一NMOS管M11的栅极接到所述的宽范围正交压控振荡器的第二频率控制电压Vctrl2，第十NMOS管M10的源极与第十一NMOS管M11的源极接地。

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