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一种基于增材制造的定向变形混合TPMS结构的设计方法 

申请/专利权人:重庆大学

申请日:2024-03-31

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118260944A

主分类号:G06F30/20

分类号:G06F30/20;B29C64/386;B33Y50/00;G06T17/30;G06F119/14;G06F113/10

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明公开了一种基于增材制造的定向变形混合TPMS结构的设计方法,该方法先将初始晶格结构分割,并分离为多个相位互补的低体积分数子结构,通过将结构几何与函数建模紧密耦合的变形策略,对子结构的几何形态和拓扑特征实施有意识的定向变形与重构,使子结构彼此交错融合,形成新型混合拓扑结构。本发明拓展了设计空间,更在保证一定体积分数的前提下,最大限度地提高有效比表面积;同时具有可控多级孔道拓扑,能够精细调控孔隙的尺寸大小,实现丰富多样的孔隙结构。本发明通过调节设计参数与偏移函数可独立调控等值面上每一个离散点,灵活获得不同曲面点阵结构,以满足不同植入体和热交换器等的特定需求,具有极高的可设计性和定制化能力。

主权项:1.一种基于增材制造的定向变形混合TPMS结构的设计方法,其特征在于,包括以下步骤:1利用三周期极小曲面方程生成一个初始晶格结构;2将步骤1生成的初始晶格结构分割为多个相位互补的低体积分数子结构;3对步骤2得到的多个低体积分数子结构分别在等值面施加恰当的平移矢量,使所述子结构分离,且彼此产生空隙区域,形成一种新的复合结构,即为多层晶格结构;4对步骤3得到的多层晶格结构中的多个相位等值面上的每个点分别可以独立移动调整进行定向变换,以此实现结构交错融合,即得到交错混合多层TPMS晶格结构。

全文数据:

权利要求:

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