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申请/专利权人：黑龙江大学
申请日：2024-05-11
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255392A
主分类号：C01G39/06
分类号：C01G39/06;B82Y40/00;B01J20/02;B01J20/28;B01J20/30;G01N27/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明属于气敏材料技术领域，尤其涉及一种三维二硫化钼纳米花复合材料及其制备方法与应用。为解决现有二维MoS2纳米片作为气敏材料存在响应速度慢、灵敏度低及重复性差的问题，本发明提供了一种三维二硫化钼纳米花复合材料，其三维花状结构由若干片层结构组成。本发明实现了对复合材料形貌和层间距的控制，形成了更利于气体吸脱附的通道，提高了气体吸附可逆性。本发明复合材料提供了更多活性位点，增加了NO2分子的接触几率，提高了复合材料的气体敏感性和选择性，缩短了响应时间。本发明一种三维二硫化钼纳米花复合材料制备工艺简单，所制备的复合材料能够显著提升气敏传感器的性能，在NO2气体检测领域具有重要应用前景。
主权项：1.一种三维二硫化钼纳米花复合材料，其特征在于，所述材料为纳米级三维花状结构，所述三维花状结构由若干片层结构组成，整体三维花状结构的直径为150nm~200nm，比表面积为20m2g~60m2g。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 黑龙江大学 一种三维二硫化钼纳米花复合材料及其制备方法与应用
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