龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：联华电子股份有限公司
申请日：2023-01-18
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263299A
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06;H02M1/088
优先权：["20221228 TW 111150397"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开一种高压晶体管、电位升高转换电路以及半导体装置，其中该高压晶体管包括阱区设置在半导体基底中、栅极结构设置在阱区之上、栅极氧化物层设置在栅极结构与阱区之间、第一漂移区以及第二漂移区。栅极氧化物层的第一部分比栅极氧化物层的第二部分厚。第二部分的厚度大于或等于第一部分的厚度的八分之一。第一漂移区与第二漂移区设置在阱区中、分别至少部分位于栅极结构的两相对侧且分别与第一部分以及第二部分相邻设置。第一漂移区与第二漂移区的导电型态相同。电位升高转换电路包括上述的高压晶体管。
主权项：1.一种高压晶体管，包括：阱区，设置在半导体基底中；栅极结构，设置在该阱区之上；栅极氧化物层，在垂直方向上设置在该栅极结构与该阱区之间，其中该栅极氧化物层的第一部分比该栅极氧化物层的第二部分厚，且该第二部分的厚度大于或等于该第一部分的厚度的八分之一；以及第一漂移区与第二漂移区，设置在该阱区中，其中该第一漂移区的至少一部分以及该第二漂移区的至少一部分分别位于该栅极结构在水平方向上的两相对侧，该第一漂移区与该栅极氧化物层的该第一部分相邻设置，该第二漂移区与该栅极氧化物层的该第二部分相邻设置，且该第一漂移区的导电型态与该第二漂移区的导电型态相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 高压晶体管、电位升高转换电路以及半导体装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号