申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2022-05-19

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN114874262B

主分类号：C07F9/572

分类号：C07F9/572;C09K11/06;G01K11/00;H10K50/12;H10K85/60

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本申请公开了一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用，所述具有高激子利用率青蓝色荧光材料在溶液与薄膜中表现出良好的耐温性，与质子转移黄光材料掺杂制备的掺杂薄膜在高温范围内具有良好的温度响应，有应用到高温传感中的潜力；将具有质子转移的黄光材料与上述青蓝光材料掺杂作为发光层，制备白光OLED器件。所制备的青蓝和白光OLED器件具有耐高温的特征，在高温下电致发光强度明显增强。本发明所述单分子青蓝光OLED以及白光OLED器件都具备较高的器件效率、高的激子利用率和较好的耐温性；其中发射层黄光材料与青蓝光材料之间没有能量传递，因此色坐标与电致发光光谱稳定，在高效耐高温的OLED应用领域具有很高的使用及推广价值。

主权项：1.一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料在OLED器件中的应用，其特征在于：所述OLED器件为单分子高效耐温青蓝光OLED器件，单分子高效耐温青蓝光OLED器件包括有机发光层，所述有机发光层的材料为具有高激子利用率青蓝色荧光材料与主体材料CBP掺杂；所述单分子高效耐温青蓝光OLED器件为上下叠合的多层结构，由下至上依次为ITO基片、阳极层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层；所述阳极层的材料为无机材料，所述无机材料为氧化铟锡或氧化铟锌；所述空穴传输层的材料为TAPC；所述空穴传输层的厚度为15nm～30nm；所述电子阻挡层的材料为TCTA；所述电子阻挡层的厚度为10nm～20nm;所述有机发光层的材料为主体材料CBP与具有高激子利用率青蓝色荧光材料C1或C2的掺杂；所述有机发光层的厚度为10nm～30nm；所述空穴阻挡层的材料为TPBi；所述空穴阻挡层的厚度为15nm～25nm；所述电子传输层的材料为TmPyPb；所述电子传输层的厚度为20nm～60nm；所述电子注入层的材料为LiF；所述电子注入层的厚度为0.5nm～5nm；所述阴极层的材料为金、银、铜、铝、镁中的任意一种；所述阴极层的厚度为50nm～150nm；所述单分子高效耐温青蓝光OLED器件的电致发光强度在80K-530K内随温度的升高明显增强；所述具有高激子利用率青蓝色荧光材料的名称为二苯基1'-芘氧化磷（C1）或苯基二1'-芘氧化磷（C2），结构式如下：C1C2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京邮电大学 一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用

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