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申请/专利权人：山东大学
申请日：2021-11-15
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114122189B
主分类号：H01L31/12
分类号：H01L31/12;H01L31/14;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.03.18#实质审查的生效;2022.03.01#公开
摘要：本发明公开了一种基于红外光源和PD的光收发一体芯片及其制备方法，该芯片包括砷化镓衬底、生长于砷化镓衬底中心区域的支撑薄膜，所述支撑薄膜和砷化镓衬底上方沉积有金属层一，所述金属层一通过剥离形成红外光源的电极、加热区域和PD的P电极，所述红外光源的电极和加热区域位于支撑薄膜上方，所述PD的P电极位于砷化镓衬底上方；所述加热区域上方生长有增透膜，所述砷化镓衬底上通过刻蚀形成窗口，所述窗口内沉积有金属层二，形成PD的N电极；所述砷化镓衬底背面或者支撑薄膜上开设隔热腔。本发明集成光学元件体积小，成本低，工艺难度小，可实现光收发一体功能。
主权项：1.一种基于红外光源和PD的光收发一体芯片，其特征在于，包括砷化镓衬底、生长于砷化镓衬底中心区域的支撑薄膜，所述支撑薄膜和砷化镓衬底上方沉积有金属层一，所述金属层一通过剥离形成红外光源的电极、加热区域和PD的P电极，所述红外光源的电极和加热区域位于支撑薄膜上方，所述PD的P电极位于砷化镓衬底上方；所述加热区域上方生长有增透膜，所述砷化镓衬底上通过刻蚀形成窗口，所述窗口内沉积有金属层二，形成PD的N电极；所述砷化镓衬底背面或者支撑薄膜上开设隔热腔；当所述砷化镓衬底背面开设隔热腔时，所述支撑薄膜包括两层，第一层为氧化硅薄膜，第二层为位于其上的氮化硅薄膜；当所述支撑薄膜上开设隔热腔时，所述支撑薄膜为一层氧化硅薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种基于红外光源和PD的光收发一体芯片及其制备方法
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