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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明涉及晶体生长领域，公开了获得生长界面及溶质边界层等效电路模型的方法及晶体生长分析方法，包括以下具体步骤：构建提拉法系统；将分析仪器与提拉法系统连接；将提拉法系统的籽晶放入熔体中下晶；通过分析仪器给提拉法系统的生长界面及溶质边界层外加变化的电场并测量晶体生长界面及溶质边界层的I‑V曲线；基于晶体生长界面及溶质边界层的I‑V曲线，得到晶体生长界面及溶质边界层的等效电子元件；基于等效电子元件，得到生长界面及溶质边界层的等效电路模型。本发明解决了现有技术难以获取晶体生长界面和溶质运动信息的问题，且具有可以节省人力和物料成本、更高效的改进晶体生长工艺的特点。
主权项：1.一种获得生长界面及溶质边界层等效电路模型的方法，其特征在于：包括以下具体步骤：构建包括原料、籽晶（7）的提拉法系统；将分析仪器（1）与提拉法系统连接；将提拉法系统的原料放入加热装置中加热融化得到熔体（2）；将提拉法系统的籽晶（7）放入熔体（2）中下晶；晶体（3）生长过程中，通过分析仪器（1）给提拉法系统的生长界面及溶质边界层外加变化的电场并测量晶体（3）生长界面及溶质边界层的I-V曲线；基于晶体（3）生长界面及溶质边界层的I-V曲线，得到晶体（3）生长界面及溶质边界层的等效电子元件；基于等效电子元件，得到生长界面及溶质边界层的等效电路模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 获得生长界面及溶质边界层等效电路模型的方法及晶体生长分析方法
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