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表面离子阱囚禁电场分布的测量方法及测量装置 

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申请/专利权人:北京量子信息科学研究院

摘要:本发明提供了一种表面离子阱囚禁电场空间分布的测量方法,包括:向所述离子阱电极施加激励信号;通过包括带电探针组件的原子力显微测量模块对所述离子阱的电极表面进行扫描,其中,所述带电探针组件配置成与扫描对象表面的电场发生相互作用,并诱导所述带电探针组件发生偏转或振荡状态变化;通过所述原子力显微测量模块的光学系统检测所述带电探针组件的状态变化,以确定所述离子阱囚禁电场的空间分布情况。本发明所提供的离子阱囚禁电场分布的测量方法,支持基于原子力显微术对表面离子阱囚禁电场的空间分布进行直接测量,消除了理论计算方法与实际物理模型的差异,解决了表面离子阱电极加工品质和囚禁离子属性难以确定而导致后续量子操作实验效率极低的困扰。

主权项:1.一种表面离子阱囚禁电场分布的测量方法,其特征在于,包括:向离子阱电极施加激励信号;通过包括带电探针组件的原子力显微测量模块对所述离子阱电极的表面进行扫描,其中,所述带电探针组件配置成与扫描对象的表面电场发生相互作用,并诱导所述带电探针组件发生偏转或振荡状态变化;通过所述原子力显微测量模块的光学系统检测所述带电探针组件的状态变化,以确定所述表面离子阱囚禁电场的空间分布情况;其中,所述带电探针组件包括悬臂和带电体,所述悬臂具有固定端和自由端,所述带电体设置在所述悬臂的自由端,所述测量方法还包括:将所述悬臂及其他连接部的金属镀膜去除,改造为无镀层的极小弹性常数悬臂。

全文数据:

权利要求:

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