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申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：本发明涉及一种多孔SiCNnwCSi3N4复合吸波陶瓷及其制备方法，属于陶瓷基吸波材料领域。所述多孔SiCNnwCSi3N4复合吸波陶瓷包括多孔Si3N4陶瓷基体以及均匀包裹在所述多孔Si3N4陶瓷基体孔壁表面的吸波相碳层和均匀生长在所述多孔Si3N4陶瓷基体孔洞中的吸波相SiCN纳米线；其中，所述碳层和SiCN纳米线的总质量为多孔Si3N4陶瓷基体的1～10wt％。通过在Si3N4基体陶瓷的孔结构中引入碳层和SiCN纳米线这两种不同结构的吸波相，该吸波相双组分能协同发挥各组分的优势，优化材料阻抗匹配度，拓宽材料的吸收带宽。而且，本发明所述工艺简单，能够通过改变热处理温度调控两种吸波相的比例从而优化材料的阻抗匹配度，所制得的多孔SiCNnwCSi3N4复合陶瓷吸波性能好。
主权项：1.一种多孔SiCNnwCSi3N4复合吸波陶瓷，其特征在于，包括多孔Si3N4陶瓷基体以及均匀包裹在所述多孔Si3N4陶瓷基体孔壁表面的吸波相碳层和均匀生长在所述多孔Si3N4陶瓷基体孔洞中的吸波相SiCN纳米线；其中，所述碳层和SiCN纳米线的总质量为多孔Si3N4陶瓷基体的1～10wt％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种多孔SiCNnw/C/Si3N4复合吸波陶瓷及其制备方法
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