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申请/专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所

摘要：一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺，晶体管包括：位于器件底部的集电极，在集电极之上设有集电区，集电区包括交替排布的P+集电区和N+短路区，在集电区上方设有N型场截止层，场截止层之上设有N‑型漂移区，在漂移区上表面设有按一维阵列排布的沟槽，沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅极，栅氧化层位于多晶硅栅极与沟槽内壁之间，在漂移区上方设有P型体区，P型体区位于相邻两个沟槽之间，且与沟槽侧壁接触；在P型体区之上设有N+发射区和P+型接触区，接触区上连接有发射极，发射极两侧设有绝缘介质层，其特征在于，在场截止层与集电区之间设有N‑高阻区。制备工艺特征在于，场截止层由背面氢注形成，背面结构均采用激光退火工艺。

主权项：1.一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括：位于器件底部的集电极金属层（1），在所述集电极金属层（1）之上设有集电区（2），所述集电区（2）包括交替排布的P+集电区（21）和N+短路区（22），在所述集电区（2）上方设有N型场截止层（3），在所述N型场截止层（3）之上设有N-型漂移区（4），在所述N-型漂移区（4）上表面设有按一维阵列排布的沟槽（5），在沟槽（5）内设有栅氧化层（6）和多晶硅栅极（7），所述栅氧化层（6）位于多晶硅栅极（7）与沟槽（5）内壁之间，在所述N-型漂移区（4）上方设有P型体区（8），所述P型体区（8）位于相邻两个沟槽（5）之间，且与沟槽（5）的侧壁接触；在所述P型体区（8）之上设有N+发射区（9）和P+型接触区（10），在P+型接触区（10）上连接有发射极金属层（12），在发射极金属层（12）两侧设有绝缘介质层（11），其特征在于，在所述N型场截止层（3）与集电区（2）之间设有N-高阻区（13）；在P+集电区（21）上开设一腔体（211），所述腔体（211）与所述N+短路区（22）的侧面相抵且腔体（211）的高度大于N+短路区（22）；所述N+短路区（22）横向延伸、穿越所述腔体（211）并止于P+集电区（21），所述N-高阻区（13）再延伸并填充所述腔体（211），使N-高阻区（13）的再延伸部分（132）覆盖于横向延伸后的N+短路区（22）之上；所述N-高阻区（13）的掺杂浓度低于N型场截止层（3）的掺杂浓度，且所述N-高阻区（13）的掺杂浓度等于N-型漂移区（4）的掺杂浓度，所述N-高阻区（13）的厚度为1~3μm。

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百度查询： 东南大学 东南大学—无锡集成电路技术研究所 低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺