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申请/专利权人:中国船舶集团有限公司第七二三研究所
摘要:本发明公开了一种POP堆叠集成的微型宽带收发变频模组及其装配方法,所述模组包括陶瓷基座、塑封硅基变频多功能模组、MEMS毫米波开关滤波器模组、倒扣盖板、GaAs开关滤波器芯片、二级中频滤波芯片组和BGA焊球;其中陶瓷基座为主体,顶部用BGA焊球焊接塑封硅基变频多功能模组和MEMS毫米波开关滤波器模组,陶瓷基座底部腔体内部转配GaAs开关滤波器芯片、二级中频滤波芯片组,装配完成后底部腔体使用倒扣盖板封闭;陶瓷基座底部四周设置BGA焊球阵列,作为对外的电连接口。本发明具有集成度高、体积小、功耗低、性能稳定、装配简单、适用性强的优点。
主权项:1.一种POP堆叠集成的微型宽带收发变频模组,其特征在于,包括陶瓷基座(1)、塑封硅基变频多功能模组(2)、MEMS毫米波开关滤波器模组(3)、倒扣盖板(4)、GaAs开关滤波器芯片(5)、二级中频滤波芯片组(6)和BGA焊球(7);所述POP堆叠集成的微型宽带收发变频模组以陶瓷基座(1)为主体,顶部用BGA焊球(7)焊接塑封硅基变频多功能模组(2)和MEMS毫米波开关滤波器模组(3),陶瓷基座(1)底部腔体内部装配GaAs开关滤波器芯片(5)、二级中频滤波芯片组(6),装配完成后底部腔体使用倒扣盖板(4)封闭;陶瓷基座(1)底部四周设置BGA焊球阵列(8),作为对外的电连接口;所述塑封硅基变频多功能模组(2),内部设置变频多功能芯片,基于硅基CMOS工艺设计制造;所述CMOS工艺利用多层金属内埋电感、传输线、构建MOS电容、高频CMOS晶体管技术手段提高芯片集成度,在单芯片上集成双向放大器、两级混频、多级数控衰减、本振倍频驱动和大部分变频组件的有源电路功能;封装采用重布线扇出技术,引出密集排布的高低频引脚到阵列排布的BGA焊球(7)引脚上,顶部做塑封处理,芯片被聚合物整个包裹保护,使用时采用回流焊工艺焊接BGA焊球(7)引脚到对接端;所述MEMS毫米波开关滤波器模组(3),采用基于贯穿硅通孔和晶圆级键合的MEMS加工技术制造,在硅基衬底上将MEMS滤波器、开关芯片和驱动控制芯片集成为单个系统级封装模组;毫米波一级中频滤波器起到信号带宽选择和混频交调抑制的作用,采用MEMS硅基内埋的交指滤波结构,满足滤波器的带外抑制和矩形系数要求;所述MEMS毫米波开关滤波器模组(3)通过TSV通孔连接传输信号至硅载板底部,并通过BGA焊球(7)对外连接陶瓷基座(1);所述MEMS毫米波开关滤波器模组(3)通过晶圆级键合密封为独立配装的模组。
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