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申请/专利权人:美光科技公司
摘要:本申请案涉及具有时变错误率的存储器中的抢先式读取刷新。存储器子系统中的处理装置从主机系统接收读取请求,所述读取请求识别存储于存储器组件的片段中的数据,以及使用第一读取电压电平对所述存储器组件的所述片段执行第一读取操作。所述处理装置确定存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据是否成功地经解码。响应于存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据成功地经解码,所述处理装置确定所述存储器组件的所述片段的写读延迟时间,且确定所述片段的所述写读延迟时间是否落在所述存储器组件的多个写读延迟范围中的第一写读延迟范围内,其中所述第一写读延迟范围表示对应于所述第一读取电压电平的第一多个写读延迟时间。响应于所述片段的所述写读延迟时间不落在所述第一写读延迟范围内,所述处理装置使用适用读取电压电平对所述存储器组件的所述片段的至少一部分执行读取刷新操作。
主权项:1.一种存储器子系统,其包括:存储器组件;以及处理装置,其以操作方式与所述存储器组件耦合以进行以下操作:从主机系统接收读取请求,所述读取请求识别存储于存储器组件的片段中的数据;使用第一读取电压电平对所述存储器组件的所述片段执行第一读取操作;确定存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据是否成功地经解码;响应于存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据成功地经解码,确定所述存储器组件的所述片段的写读延迟时间;确定所述片段的所述写读延迟时间是否落在所述存储器组件的多个写读延迟范围中的第一写读延迟范围内,其中所述第一写读延迟范围表示对应于所述第一读取电压电平的第一多个写读延迟时间;以及响应于所述片段的所述写读延迟时间不落在所述第一写读延迟范围内,使用适用读取电压电平对所述存储器组件的所述片段的至少一部分执行读取刷新操作。
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权利要求:
百度查询: 美光科技公司 具有时变错误率的存储器中的抢先式读取刷新
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