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申请/专利权人：上海征世科技股份有限公司

摘要：本发明公开了一种可提升CVD单晶生长数目的单晶金刚石制造装置，涉及单晶金刚石制造技术领域，包括主体，所述主体内部设置有隔板，所述隔板将主体内部分割为内腔室和外腔室，所述隔板的上方活动安装有上盖板，所述上盖板的中部设置有输出管，所述输出管的下方设置有驱动盘，所述驱动盘内部设置有若干个安装槽，所述安装槽内部安装有载物台，其中一个所述载物台位于所述输出管的正下方。本发明通过相邻边板之间的位置变化，同时配合下方的驱动环，使籽晶在接受沉积过程中，边板对输出管机构、主体内壁、上盖板、中空板以及自身的清理效果，避免过多的石墨沉积在形成腔的内壁上，使得气体内部的碳原子浓度降低，导致籽晶的伸展速度减缓。

主权项：1.一种可提升CVD单晶生长数目的单晶金刚石制造装置，包括主体（1），其特征在于：所述主体（1）内部设置有隔板（2），所述隔板（2）将主体（1）内部分割为内腔室和外腔室，所述隔板（2）的上方活动安装有上盖板（3），所述上盖板（3）的中部设置有输出管（4），所述输出管（4）的下方设置有驱动盘（5），所述驱动盘（5）内部设置有若干个安装槽，所述安装槽内部安装有载物台（6），其中一个所述载物台（6）位于所述输出管（4）的正下方，所述驱动盘（5）和输出管（4）之间设置有中空板（7），所述中空板（7）的中部开设有圆形通孔（701），所述中空板（7）的外径小于主体（1）的内径，所述中空板（7）的上端表面与隔板（2）的下端表面相贴合；所述输出管（4）的上方连接有微波源、波导管、等离子发生器、气泵和气流加热设备，所述载物台（6）的下方以及主体（1）的内壁中均设置有水冷机构；所述载物台（6）由衬底板（601）和覆盖板（602）构成，所述衬底板（601）和覆盖板（602）滑动连接，所述衬底板（601）和覆盖板（602）的连接处设置有连接弹簧，所述衬底板（601）的下方设置有立柱（603），所述衬底板（601）和覆盖板（602）之间相互配合形成圆柱，所述圆柱内部存在有四棱锥型空腔；所述隔板（2）的上端表面与上盖板（3）的下端表面相贴合，所述隔板（2）的两侧设置有气压监测元件，所述隔板（2）由若干个边板（201）构成，相邻两个所述边板（201）外侧表面相互贴合，所述边板（201）为中空结构，相邻所述边板（201）之间的夹角相固定，所述边板（201）之间滑动连接，所述边板（201）的一端设置有刮板（202），所述边板（201）和刮板（202）存在有安装槽，所述安装槽的外壁尺寸与相邻所述边板（201）的外壁尺寸相匹配。

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