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申请/专利权人：株式会社力森诺科
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括使用在带有凸块的半导体芯片、带有凸块的PCB等表面具有凹凸的半导体器件的加工工序中也能够准确地追随凹凸并密合的粘合片的工序，所述制造方法不存在高温处理中的逸气的产生及粘合片剥离时的被粘物表面的残胶。一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：保护工序，将具有片状基材和形成于基材上的粘合剂层的粘合片贴附至半导体器件的带有凸块的被粘面；UV照射工序，对粘合片进行UV照射，使粘合剂层固化；以及剥离工序，将粘合片从带有凸块的被粘面剥离除去，粘合剂层为粘合剂组合物的固化物，粘合剂组合物包含下述通式1‑1表示的树脂A和光聚合引发剂B，树脂A的重均分子量为5万～55万。
主权项：1.一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：保护工序，将具有片状基材和形成于所述基材上的粘合剂层的粘合片贴附至半导体器件的带有凸块的被粘面；UV照射工序，对所述粘合片进行UV照射，使所述粘合剂层固化；以及剥离工序，将所述粘合片从所述带有凸块的被粘面剥离除去，所述粘合剂层为粘合剂组合物的固化物，所述粘合剂组合物包含下述通式1-1表示的树脂A和光聚合引发剂B，所述树脂A的重均分子量为5万～55万， 式1-1中，k、l、m及n表示设定k+l+m+n＝100时的摩尔组成比；k大于0且为92以下；l为0～50；m大于0且为90以下；k、l及m的合计为65～95；n为5～35；R1～R4为-H或-CH3；R5为碳原子数1～16的烷基；R6为碳原子数3～30的脂环式烃基或碳原子数6～20的芳香族烃基；R7为-H或-CH2j-COOH，式中的j为1或2；R8为上述通式1-2或1-3表示的基团；式1-2及1-3中，p及q为选自0、1及2中的任一者；在p为0时，s为0，在p为1或2时，s为1；R9为-H或-CH3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社力森诺科 半导体器件的制造方法及半导体器件
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