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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种efuse存储器，efuse单元结构包括：由MOS晶体管组成的控制管以及熔丝结构。MOS晶体管形成于第一有源区中。熔丝结构包括第二有源区以及有源区熔丝。有源区熔丝连接在第一和第二有源区之间。第一有源区的顶部通过接触孔连接到第一电极。第二有源区的顶部通过接触孔连接到第二电极。有源区熔丝包括导通和熔断两个状态。初始状态时，有源区熔丝处于导通状态，第一和第二有源区之间电连接在一起。编程状态时，有源区熔丝处于熔断状态，第一和第二有源区之间的电连接断开。本发明能减少单元尺寸，还能减少阵列结构中的空闲区域并从而减少阵列的版图面积，从而能提高版图面积利用率以及提高版图工作效率，还能提高编程可靠性。
主权项：1.一种efuse存储器，其特征在于，包括：efuse单元结构；所述efuse单元结构包括：由MOS晶体管组成的控制管以及熔丝结构；所述MOS晶体管形成于第一有源区中；所述熔丝结构包括第二有源区以及有源区熔丝；所述有源区熔丝连接在所述第一有源区和所述第二有源区之间；所述第一有源区的顶部通过接触孔连接到第一电极；所述第二有源区的顶部通过接触孔连接到第二电极；所述有源区熔丝包括导通和熔断两个状态；efuse单元结构处于初始状态时，所述有源区熔丝处于导通状态，所述第一有源区和所述第二有源区之间电连接在一起；efuse单元结构处于编程状态时，所述有源区熔丝处于熔断状态，所述第一有源区和所述第二有源区之间的电连接断开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 efuse存储器
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