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申请/专利权人：厦门大学;厦门磐晟电气设备有限公司
摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET串扰抑制驱动电路，包括半桥驱动芯片、半桥电路和一对串扰抑制电路；其中，半桥电路包括由SiCMOSFET构成的上下桥臂；半桥驱动芯片输出一对互补的上桥臂PWM信号和下桥臂PWM信号；上桥臂串扰抑制电路的输入为下桥臂PWM信号，输出连接到上桥臂的SiCMOSFET的栅极；反之亦然；每个串扰抑制电路均包括一个微分电路和一个开关管，微分电路将输入的PWM信号转换成尖峰脉冲，作为开关管的控制信号，开关管的两输出端分别连接到SiCMOSFET的栅极和负电源，在导通时提供负压偏置。本电路解决了SiC功率器件关断时串扰加剧的问题，同时解决电压变化率电压检测电路因为SiC功率器件开通关断时的栅极振荡导致检测到错误的串扰信号问题。
主权项：1.一种SiCMOSFET串扰抑制驱动电路，其特征在于：包括半桥驱动芯片、半桥电路、上桥臂串扰抑制电路和下桥臂串扰抑制电路；所述半桥电路包括由SiCMOSFET构成的上桥臂和下桥臂；所述半桥驱动芯片用于输出一对互补的上桥臂PWM信号和下桥臂PWM信号；所述上桥臂串扰抑制电路的输入为所述下桥臂PWM信号，输出连接到所述半桥电路的上桥臂的SiCMOSFET的栅极；所述下桥臂串扰抑制电路的输入为所述上桥臂PWM信号，输出连接到所述半桥电路的下桥臂的SiCMOSFET的栅极；每个串扰抑制电路均包括一个微分电路和一个开关管，所述微分电路将输入的PWM信号转换成尖峰脉冲，所述微分电路的输出为所述开关管的控制信号，所述开关管的两输出端分别连接到对应的SiCMOSFET的栅极和负电源，在所述开关管导通时，将SiCMOSFET的栅极电压拉低为负压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 厦门磐晟电气设备有限公司 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路
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