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申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
摘要：一种MOSFET电磁辐射抗扰性测试方法，属于半导体分立器件测试领域。本发明采用了MOSFET电磁兼容测试板设计以及合理的测试步骤：一方面采用MOSFET电磁兼容测试板，在保护外围器件免受干扰的情况下，使得待测器件受到规定的电磁场干扰，从而快速准确地测量MOSFET受到不同频率和场强的EMI干扰时的抗扰性；另一方面通过合理的扫频方式，采取两步扫频的方式，搭配合适的测试步进，能够在准确地测试MOSFET辐射抗扰性的同时节约测试时间。本发明涉及的测试方法步骤简单，与目前普遍应用的MOSFET兼容度高，可以用来测试MOSFET的电磁辐射抗扰性。
主权项：1.一种MOSFET电磁辐射抗扰性测试方法，其特征在于，包括：S1、对辐射抗扰性测试系统进行校准；S2、将DUT安装在测试板上，并通电激励，确认DUT状态正常；S3、设置干扰信号的初始发射频率和场强；S4、发射干扰信号，检查记录DUT的参数变化；S5、步进式增加干扰频率，重复S4，直到完成全部频率点的测试；S6、步进式增加干扰场强，重复S3-S4，直到完成全部场强点的测试；S7、调整测试板的角度，重复S3-S6，直到完成全部角度方向的测试；S8、将各测试条件下DUT的输出响应与DUT在正常工作状态下的输出响应进行对比，记录偏差，根据偏差确定DUT在各测试条件下能否正常工作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京微电子技术研究所 北京时代民芯科技有限公司 一种MOSFET电磁辐射抗扰性测试方法
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