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申请/专利权人：萨克瑟斯有限公司;得来化学有限公司
摘要：本发明的目的在于提供能够简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆的半导体结晶晶圆的制造方法及制造装置。半导体结晶晶圆的SiC晶圆的制造方法包含于沟加工步骤STEP100图1之前的垫沟形成步骤STEP10图1及线轴沟形成步骤STEP20图1，且包含接续于沟加工步骤STEP100图1的研磨步骤STEP110图1、切断步骤STEP120图1、第一面加工步骤STEP130图1、及第二面加工步骤STEP140图1。
主权项：1.一种半导体结晶晶圆的制造装置，为从研削加工成圆筒形状的半导体结晶锭切出片状的晶圆，该半导体结晶晶圆的制造装置具备：沟加工鼓轮磨石，为了要在所述半导体结晶锭的侧面整体形成环绕的多条凹沟，而于侧面形成有对应于该多条凹沟的多条凸部；研磨垫，用以研磨所述多条凹沟的圆筒状的垫，于侧面整体形成有对应于所述多条凸部的多条垫沟；及线锯装置，使配置于所述多条凹沟的多条线旋绕同时前进，据此将所述半导体结晶锭切断成片状，且供该多条线旋绕的线锯线轴的侧面整体形成有对应于所述多条凸部的线轴沟。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 萨克瑟斯有限公司 得来化学有限公司 半导体结晶晶圆的制造方法及制造装置
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