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申请/专利权人：广州国芯微技术有限公司

摘要：本申请实施例提供一种放大器和射频接收系统，通过正相输入信号和反相输入信号分别驱动四个MOS管的栅极，增大了第一PMOS管和第一NMOS管栅源电压的变化，提高了第一PMOS管的跨导和第一NMOS管的跨导，使反相输出信号幅度增加；增大了第二PMOS管和第二NMOS管栅源电压的变化，提高了第二PMOS管的跨导和第二NMOS管的跨导，使正相输出信号幅度增加，从而提高了放大器的增益。并且，第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管以及第三NMOS管串联，第二PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管以及第四NMOS管串联，均复用一路电流，减小了电流的消耗。

主权项：1.一种放大器，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第三偏置电阻、第四偏置电阻、第五偏置电阻、第六偏置电阻、第七偏置电阻以及第八偏置电阻；所述第一PMOS管的栅极、所述第一NMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极以及所述第四NMOS管的栅极均为所述放大器的正相输入端，均与正相输入信号连接；所述第二PMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极以及所述第三NMOS管的栅极均为所述放大器的反相输入端，均与反相输入信号连接；所述第一PMOS管的漏极以及所述第一NMOS管的漏极均为所述放大器的反相输出端；所述第二PMOS管的漏极以及所述第二NMOS管的漏极均为所述放大器的正相输出端；所述第一PMOS管的栅极还经所述第一偏置电阻与第一偏置电压连接，所述第一PMOS管的源极与所述第三NMOS管的源极连接；所述第三NMOS管的漏极与直流电源连接；所述第三NMOS管的栅极还经所述第二偏置电阻与第二偏置电压连接；所述第二PMOS管的栅极还经所述第三偏置电阻与所述第一偏置电压连接，所述第二PMOS管的源极与所述第四NMOS管的源极连接；所述第四NMOS管的漏极与直流电源连接；所述第四NMOS管的栅极还经所述第四偏置电阻与所述第二偏置电压连接；所述第一NMOS管的栅极还经所述第五偏置电阻与第三偏置电压连接，所述第一NMOS管的源极与所述第三PMOS管的源极连接；所述第三PMOS管的漏极接地；所述第三PMOS管的栅极还经所述第六偏置电阻与第四偏置电压连接；所述第二NMOS管的栅极还经所述第七偏置电阻与所述第三偏置电压连接，所述第二NMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极连接；所述第四PMOS管的漏极接地；所述第四PMOS管的栅极还经所述第八偏置电阻与所述第四偏置电压连接。

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