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申请/专利权人：深圳市曙芯生物科技有限公司
摘要：本发明涉及一种高通量基因合成方法，所述高通量基因合成方法，包括以下步骤：对芯片表面进行处理，获得具有网格形状的微结构芯片，将所述微结构芯片清洗干燥后进行镀膜处理，制得亲疏水网格芯片；在所述亲疏水网格芯片的网格内采用喷墨打印方法合成DNA；将合成的DNA进行氨解、转移，然后进行拼接和扩增，获得高通量的合成基因。拼接和扩增产物可进一步组装成重组质粒。本发明中的合成方法简单，成本低、通量高且效率较高。理论上基因合成成本可降到0.35‑0.4元bp，仅为当前主流合成成本的一半左右，一次性合成的寡聚核苷酸链可满足100‑1000条基因的拼接，可在短时间内合成大量基因。
主权项：1.一种高通量基因合成方法，其特征在于，包括以下步骤：对芯片表面进行蚀刻处理，获得具有网格形状的微结构芯片，将所述微结构芯片清洗干燥后进行硅烷溶液镀膜处理，制得亲疏水网格芯片；在所述亲疏水网格芯片的网格内采用喷墨打印方法合成DNA；将合成的所述DNA进行氨解、转移，然后进行拼接和扩增，获得高通量合成基因；其中，所述镀膜处理在硅烷溶液中进行，所述硅烷为包含两种的混合硅烷，第一种硅烷选自单羟基硅烷，第二种硅烷选自全氟烷基硅烷；所述拼接和扩增，包括以下步骤：1首先去除DNA三级结构；2然后解除DNA的双链及单链空间位阻，再在50℃-55℃下进行同源片段或引物配对，并进行DNA段延伸补齐双链；3重复步骤25-10次；4解除DNA双链及单链空间位阻，再在56℃-60℃下进行同源片段或引物配对，并进行DNA片段延伸补齐双链；5重复步骤420-30次；6修复补齐DNA双链错配碱基；此外，将获得的所述高通量合成基因，进行质粒组装，所述质粒组装，还包括将5’方向延伸后片段与质粒进行重组形成重组质粒过程，该过程包括以下步骤：分别将载体片段和基因片段末端5’至3’方向DNA单链水解切除，基因片段末端与载体片段末端形成同源互补末端，然后将未形成DNA双链的末端区域补齐，最后将末端重组区域3’5’磷酸二脂键连接上形成完整的重组质粒。
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百度查询： 深圳市曙芯生物科技有限公司 一种高通量基因合成方法
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