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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

摘要：本发明提供一种批次型扩散沉积方法，包括步骤：1提供反应腔室，内放置有若干待处理晶圆；2以第一升温速率对反应腔室进行升温，在升温到第一温度后通入反应气体，以在晶圆表面沉积第一膜层；3以第一降温速率对反应腔室进行降温，同时在降温过程中继续通入反应气体，以沉积第二膜层；4以第二升温速率对反应腔室进行升温，同时在升温过程中持续通入反应气体，以沉积第三膜层；5以第二降温速率对反应腔室进行降温，同时在降温过程中继续通入反应气体，以沉积第四膜层；各阶段的温度均介于薄膜的生长温度范围内。本发明操作简单，可提高薄膜的品质和厚度均匀性，有利于后续工艺的进行，有助于提高设备产出率和生产良率。

主权项：1.一种批次型扩散沉积方法，其特征在于，包括步骤：1提供反应腔室，所述反应腔室内放置有若干待处理晶圆；2以第一升温速率对所述反应腔室进行升温，使所述反应腔室自初始温度升温至第一温度，在升温至所述第一温度后通入反应气体，以在所述晶圆表面沉积第一膜层，其中，所述第一膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐增大；3以第一降温速率对所述反应腔室进行降温，使所述反应腔室自所述第一温度降温到第二温度，同时在降温过程中继续通入所述反应气体，以在所述第一膜层表面沉积第二膜层，其中，所述第二膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐减小；4以第二升温速率对所述反应腔室进行升温，使所述反应腔室自所述第二温度升温至第三温度，同时在升温过程中持续通入所述反应气体，以在所述第二膜层表面沉积第三膜层，其中，所述第三膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐增大；5以第二降温速率对所述反应腔室进行降温，使所述反应腔室自所述第三温度降温至第四温度，同时在降温过程中持续通入所述反应气体，以在所述第三膜层表面沉积第四膜层，其中，所述第四膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐减小；所述第一温度、第二温度、第三温度及第四温度均大于所述初始温度且均介于薄膜的生长温度范围内；所述第二温度与所述第一温度的温度差值介于150℃～400℃之间；所述第一降温速率与所述第二降温速率相同，均介于8℃分钟～12℃分钟之间；形成的所述第一膜层、第二膜层、第三膜层及第四膜层的材质包括硼磷硅玻璃、磷硅玻璃或硼硅玻璃。

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