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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种集成电路器件，包括设置在衬底上的下绝缘结构、在垂直方向上穿过下绝缘结构的下布线结构、设置在下绝缘结构上的上绝缘结构、以及在垂直方向上穿过上绝缘结构并接触下布线结构的上布线结构。上布线结构包括上金属插塞和上导电阻挡结构，上导电阻挡结构围绕上金属插塞的侧壁和下表面。上导电阻挡结构包括面向上绝缘结构的侧壁的第一阻挡部分和介于下布线结构和上金属插塞之间的第二阻挡部分。第一阻挡部分和第二阻挡部分具有彼此不同的结构。
主权项：1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：下绝缘结构，所述下绝缘结构设置在衬底上；下布线结构，所述下布线结构在垂直方向上穿过所述下绝缘结构；上绝缘结构，所述上绝缘结构设置在所述下绝缘结构上；以及上布线结构，所述上布线结构在所述垂直方向上穿过所述上绝缘结构并且接触所述下布线结构，其中，所述上布线结构包括上金属插塞和上导电阻挡结构，并且所述上导电阻挡结构围绕所述上金属插塞的侧壁和下表面，并且其中，所述上导电阻挡结构包括面向所述上绝缘结构的侧壁的第一阻挡部分、以及介于所述下布线结构和所述上金属插塞之间的第二阻挡部分，并且所述第一阻挡部分和所述第二阻挡部分具有彼此不同的结构。
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