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晶圆研磨装置及晶圆研磨方法 

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申请/专利权人:北京晶亦精微科技股份有限公司

摘要:本发明涉及半导体技术领域,公开了一种晶圆研磨装置及晶圆研磨方法,本发明提供的晶圆研磨装置,通过将挡板设置在相邻的两个研磨盘之间,将两个研磨盘所在的研磨腔室分隔开,便于直接阻挡研磨盘飞溅出的研磨液,避免研磨液、晶圆碎片对其他研磨腔室内的研磨过程造成影响,同时通过对挡板固定,并对挡板的顶部高度小于或等于转动部的顶部高度,以及令挡板的底部高度低于挡圈升起后的上沿高度,并高于或等于研磨头升起后的下沿高度,避免使用过程中对挡板进行升降,不会出现占用机台运行时间的现象,提高机台运行的效率。

主权项:1.一种晶圆研磨装置,其特征在于,包括:研磨台1;研磨盘组,研磨盘组包括多个研磨盘2,多个研磨盘2围绕研磨台1中心轴线的周向间隔设置,以形成多个研磨腔室,多个研磨腔室中的任意两个相邻的研磨腔室之间均设有至少一个挡板3,以将两个相邻的研磨腔室分隔开;其中,挡板3于高度方向固定;挡板3在高度方向投影得到的顶部高度低于或等于转动部401的顶部高度;令挡板3在高度方向投影得到的底部高度低于挡圈7升起后的上沿高度,并高于或等于研磨头5升起后的下沿高度。

全文数据:

权利要求:

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