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申请/专利权人：山东产研微纳与智能制造研究院有限公司
摘要：本发明涉及一种C‑SOI背腔通孔的制备方法，包括：步骤S1，提供待刻蚀的第一衬底；步骤S2，在第一衬底的第一选择面和第二选择面上形成硬掩膜，并将第一选择面和第二选择面分别进行部分硬掩膜层的刻蚀，进而分别暴露位置相对应的部分衬底层；步骤S3，对第一选择面的暴露的衬底层进行浅刻蚀，对第二选择面的暴露的衬底层的进行深刻蚀，第一选择面和第二选择面的刻蚀位置相对应且不连通；步骤S4，提供第二衬底；步骤S5，将第一衬底的第二选择面和第二衬底任一面进行对准后键合；步骤S6，对第一衬底的第一选择面的已刻蚀位置进行剩余衬底厚度刻蚀，形成硅背腔通孔。本发明具有缩短工艺过程时间，减少刻蚀负载的影响，使刻蚀更加均匀的效果。
主权项：1.一种C-SOI背腔通孔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，提供待刻蚀的第一衬底；步骤S2，在第一衬底的第一选择面和第二选择面上形成硬掩膜，并将第一选择面和第二选择面分别进行部分硬掩膜层的刻蚀，进而分别暴露位置相对应的部分衬底层；步骤S3，对所述第一选择面的暴露的衬底层进行浅刻蚀，对所述第二选择面的暴露的衬底层的进行深刻蚀，所述第一选择面和所述第二选择面的刻蚀位置相对应且不连通；步骤S4，提供第二衬底；步骤S5，将第一衬底的第二选择面和第二衬底任一面进行对准后键合；步骤S6，对第一衬底的第一选择面的已刻蚀位置进行剩余衬底厚度刻蚀，形成硅背腔通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东产研微纳与智能制造研究院有限公司 一种C-SOI背腔通孔的制备方法
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