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申请/专利权人：赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
摘要：本发明公开了一种MEMS芯片的制备方法，属于微机电系统制造技术领域。该制备方法包括：在晶圆表面沉积一层贵金属层；在贵金属层表面沉积一层牺牲层；对牺牲层图形化，以在牺牲层上形成目标图形；以图形化的牺牲层作为硬掩模，对贵金属层进行物理刻蚀，以在贵金属层上形成目标图形；以图形化的牺牲层和贵金属层作为硬掩模，对晶圆进行刻蚀，以在晶圆上形成目标图形；去除牺牲层。该制备方法通过在图形化贵金属层后，图形化晶圆前，在贵金属层表面沉积一层牺牲层，以对贵金属层进行保护，实现了在小尺寸结构上贵金属层的选择性沉积。
主权项：1.一种MEMS芯片的制备方法，其特征在于，包括：在晶圆表面沉积一层贵金属层；在所述贵金属层表面沉积一层牺牲层；对所述牺牲层图形化，以在所述牺牲层上形成目标图形；以图形化的所述牺牲层作为硬掩模，对所述贵金属层进行物理刻蚀，以在所述贵金属层上形成所述目标图形；以图形化的所述牺牲层和所述贵金属层作为硬掩模，对所述晶圆进行刻蚀，以在所述晶圆上形成所述目标图形；去除所述牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 MEMS芯片的制备方法
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