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一种与p+ poly硅接触的电极浆料及其制备方法 

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申请/专利权人:广州市儒兴科技股份有限公司;无锡市儒兴科技开发有限公司;广州市儒兴新材料科技有限责任公司

摘要:本发明公开了一种与p+poly硅接触的电极浆料及其制备方法,属于电池电极浆料领域。本发明所述电极浆料包含以下重量百分比的组分:导电银粉75~88%,铝粉0.5~5%,玻璃粉2~10%,Si3N4粉0.05~2%,Y2O3粉0~1%,有机载体6~15%和其它添加剂0~3%;所述玻璃粉包含软化点为250~400℃的低软化点玻璃粉A和软化点为400~600℃的高软化点玻璃粉B,所述低软化点玻璃粉A和高软化点玻璃粉B中均包含第三主族氧化物;本发明通过在与p+poly硅接触的电极浆料中添加Si3N4粉、Y2O3粉、在玻璃粉中添加第三主族元素,很好地解决了与p+poly硅接触的电极浆料中欧姆接触与金属复合无法平衡的难题。

主权项:1.一种与p+poly硅接触的电极浆料,其特征在于,包含以下重量百分比的组分:导电银粉75~88%,铝粉0.5~5%,玻璃粉2~10%,Si3N4粉0.05~2%,Y2O3粉0~1%,有机载体6~15%和其它添加剂0~3%;所述玻璃粉包含软化点为250~400℃的低软化点玻璃粉A和软化点为400~600℃的高软化点玻璃粉B,所述低软化点玻璃粉A和高软化点玻璃粉B中均包含第三主族氧化物;所述与p+poly硅接触的电极浆料的制备方法包含如下步骤:将电极浆料各组分混合后进行预分散,待粉体完全被有机载体润湿且分散均匀后进行研磨,待所得浆料的细度<10μm后,即得所述与p+poly硅接触的电极浆料;所述低软化点玻璃粉A包含以下摩尔百分比的组分:PbO40~80%,SiO21~20%,ZnO1~20%,第三主族氧化物5~40%,助熔剂1~10%,稀土氧化物1~10%,各组分的摩尔百分比之和为100%;所述高软化点玻璃粉B包含以下摩尔百分比的组分:Bi2O330~90%,SiO25~20%,ZnO1~15%,TiO21~5%,第三主族氧化物5~40%,助熔剂1~10%,稀土氧化物0~10%,各组分的摩尔百分比之和为100%。

全文数据:

权利要求:

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