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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：一种通过表面掺杂来提高二维材料KP15电学性能的方法属于光电材料与器件领域。本发明通过在材料表面掺杂有机分子，调控了KP15的导电类型以及载流子浓度，使其电学性能大大提高。本发明方法简单、效果显著，不会对材料本身造成伤害，并且具有可逆性，可推广应用于其它二维材料的掺杂中。此外，本发明增强了KP15材料的导电性，为其偏振光电探测器的应用打下了基础。
主权项：1.一种通过表面掺杂来提高二维材料KP15电学性能的方法，其特征在于，步骤如下：步骤1使用化学气相输运的方法制备KP15材料；步骤2KP15材料的机械剥离与转移；步骤3使用光刻，电子束蒸镀以及Live-off工艺制备KP15场效应晶体管；步骤4KP15的表面掺杂；步骤4）中的掺杂是使用浸涂的方式，将KP15场效应晶体管浸入到LI-TFSI的有机溶液中，LI-TFSI的有机溶液的浓度范围为2mmolL-10mmolL，10min-2h后捞出干燥，并在加热台上烘干，LI-TFSI吸附在材料表面，实现表面掺杂；将掺杂后的KP15场效应晶体管放在有机溶剂中浸泡30min捞出烘干，实现去掺杂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种通过表面掺杂来提高二维材料KP15电学性能的方法
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