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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体元件，其主要包含一栅极结构设于基底上以及一外延层设于该栅极结构旁，其中外延层包含一第一缓冲层、一各向异性层设于该第一缓冲层上、一第二缓冲层设于该第一缓冲层以及该各向异性层之间以及一主体层设于该各向异性层上。更具体而言，主体层的硼浓度小于各向异性层的硼浓度，第一缓冲层的硼浓度小于第二缓冲层的硼浓度，且第二缓冲层的硼浓度小于各向异性层的硼浓度。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：栅极结构，设于基底上；外延层，设于该栅极结构旁，其中该外延层包含：第一缓冲层；各向异性层，设于该第一缓冲层上；以及主体层，设于该各向异性层上，其中该主体层的硼浓度小于该各向异性层的硼浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体元件
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