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申请/专利权人：成都晶柱科技有限公司
摘要：本发明涉及控制MPCVD高温电离技术控制领域，具体地说，涉及MPCVD金刚石培育过程中的高温电离控制系统。其包括数据采集单元负责高精度传感器数据的采集与存储；等离子体诊断单元提取并分析这些数据，使用拓扑神经网络等离子体诊断技术对等离子体状态进行诊断；等离子体控制单元根据诊断结果调节微波功率和反应气体流量，维持等离子体稳定；交互与通讯单元提供用户与控制系统的接口，显示实时数据和控制状态，并实现各单元及外部设备之间的通讯。该控制系统使用拓扑神经网络技术实时监测反馈等离子体状态，通过自适应控制算法动态调整各参数，提高金刚石薄膜质量和生产效率。
主权项：1.MPCVD金刚石培育过程中的高温电离控制系统，其特征在于：包括：数据采集单元（1），所述数据采集单元（1）采集与存储高精度传感器数据；等离子体诊断单元（2），所述等离子体诊断单元（2）提取数据采集单元（1）中的实时传感器数据，使用拓扑神经网络等离子体诊断技术计算分析等离子数据，对等离子体状态进行诊断；等离子体控制单元（3），所述等离子体控制单元（3）根据等离子体诊断单元（2）的诊断结果，调节和控制微波功率生成和维持等离子体，并控制甲烷和氢气反应气体的流量；环境调控单元（4），所述环境调控单元（4）分析数据采集单元（1）中的反应腔内压力数据、基底温度数据以及等离子体诊断单元（2）的诊断结果状态，调节反应腔内压力以及基底温度；交互与通讯单元（5），所述交互与通讯单元（5）提供用户与控制系统交互的接口，显示实时数据和控制状态，实现各单元之间以及控制系统与外部设备之间的通讯。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都晶柱科技有限公司 MPCVD金刚石培育过程中的高温电离控制系统
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