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申请/专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上的场板，所述晶体管位于基板上；覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；在所述氮化硅保护膜上的氧化硅基膜；以及在所述氧化硅基膜上的MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，其中，所述晶体管形成在所述基板上的第一区域中，并且所述MIM电容器和所述氧化硅基膜形成在所述基板上的与所述第一区域不同的第二区域中。
主权项：1.一种半导体器件，包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上的场板，所述晶体管位于基板上；覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；在所述氮化硅保护膜上的氧化硅基膜；以及在所述氧化硅基膜上的MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，其中，所述晶体管形成在所述基板上的第一区域中，并且所述MIM电容器和所述氧化硅基膜形成在所述基板上的与所述第一区域不同的第二区域中，并且其中，所述介电膜的端部在水平方向上突出到所述氧化硅基膜的侧表面的外侧，作为所述氧化硅基膜的檐，并且通过所述氧化硅基膜与所述氮化硅保护膜和所述绝缘膜分离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电工光电子器件创新株式会社 半导体器件
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