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一种硅片去蜡洗净方法、设备、介质及产品 

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申请/专利权人:上海中欣晶圆半导体科技有限公司

摘要:本申请实施例涉及半导体清洗领域,公开了一种硅片去蜡洗净方法、设备、介质及产品。将硅片放入SC1内槽、SC1外槽和SC1底槽进行清洗;通过注水管向所述SC1内槽补充纯水;通过药液管向所述SC1内槽补充氨水;在所述SC1外槽设置N2液位感应器,所述N2液位感应器中预设补水液位;当所述N2液位感应器检测到所述SC1外槽的液位低于补水液位时,控制所述注水管向所述SC1内槽补充纯水;当硅片在所述SC1内槽、SC1外槽或SC1底槽中的清洗周期时长达到预设时长后,控制所述药液管向所述SC1内槽补充氨水。可以至少用以解决硅片在去蜡洗净后出现倒角污迹的技术问题。

主权项:1.一种硅片去蜡洗净方法,其特征在于,所述方法包括:将硅片放入SC1内槽、SC1外槽和SC1底槽进行清洗;通过注水管向所述SC1内槽补充纯水;通过药液管向所述SC1内槽补充氨水;在所述SC1外槽设置N2液位感应器,所述N2液位感应器中预设补水液位;当所述N2液位感应器检测到所述SC1外槽的液位低于补水液位时,控制所述注水管向所述SC1内槽补充纯水;当硅片在所述SC1内槽、SC1外槽或SC1底槽中的清洗周期时长达到预设时长后,控制所述药液管向所述SC1内槽补充氨水。

全文数据:

权利要求:

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