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申请/专利权人：天津理工大学

摘要：本发明公开了一种GaO‑InGaAs四波段光电探测器及其制备方法。本发明的探测器N型InAsP异变缓冲层为AsP组分阶梯变化的多层InAsP层，自下而上As的组分逐渐升高，P的组分逐渐降低。P型InAsP底部接触层的晶格常数与N型InAsP异变缓冲层最上层的晶格常数相同。本发明共用检测电极不会影响电流的正常流动，从而实现共用光入射窗口和检测电极，在成本、集成度和焦平面拓展等方面具有更高的商用价值。

主权项：1.一种GaO-InGaAs四波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：利用MOCVD或者MBE的沉积方式在N型InP衬底上依次生长N型InP缓冲层、N型InAsP异变缓冲层、P型InAsP底部接触层、非故意掺杂InGaAs吸收层和N型InAsP盖层；步骤二：利用磁控溅射的方法在所述N型InAsP盖层的上表面淀积GaO薄膜；步骤三：利用光刻胶在所述GaO薄膜的上表面形成Mesa图形，在未涂光刻胶的GaO薄膜上，利用干法刻蚀或者湿法刻蚀向下腐蚀，腐蚀停止在P型InAsP底部接触层中，腐蚀完成后，去除光刻胶，形成Mesa凸台区域；步骤四：利用旋涂的方法在所述Mesa凸台区域的顶部的外缘涂抹一圈PBO或BCB光敏环氧树脂材料，以及外侧面和底部外缘涂抹PBO或BCB光敏环氧树脂材料，在所有PBO或BCB光敏环氧树脂材料的外表面利用光刻法进行曝光和显影，形成环氧树脂图形，对环氧树脂图形进行固化处理，形成对Mesa凸台侧壁的钝化保护；步骤五：利用PECVD化学气相沉积、磁控溅射、电子束蒸发或者热蒸发的方法在所有裸露在外的上表面淀积多层减反膜；步骤六：利用光刻胶在所述Mesa凸台顶部的减反膜上表面形成N型VIA孔洞图形，在环绕Mesa凸台的P型InAsP底部接触区域顶部的减反膜上表面形成P型VIA孔洞图形，利用刻蚀的方法去除N型VIA孔洞图形和P型VIA孔洞图形上的减反膜，使得下方的GaO薄膜和P型InAsP底部接触层均暴露出来，刻蚀完成后去除光刻胶，在GaO薄膜上形成N型VIA孔洞，在P型InAsP底部接触层的上形成P型VIA孔洞；步骤七：利用光刻胶在N型VIA孔洞的上方形成N金属图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射在N金属图形上蒸镀金属并进行金属剥离、退火，得到N金属电极，N金属电极和GaO薄膜的接触为欧姆接触；步骤八：利用光刻胶在所述P型VIA孔洞的上方形成P金属图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射在P金属图形上蒸镀金属并进行金属剥离，退火，得到P金属电极，P金属电极和P型InAsP底部接触层的接触为欧姆接触；步骤九：在所述在N型InP衬底的背面进行减薄和抛光。

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