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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：本文中公开了一种用于光刻设备的衬底布置，该衬底布置包括：抗蚀剂；光敏的抗蚀剂下层；以及衬底；其中抗蚀剂下层的曝光阈值低于抗蚀剂的曝光阈值。抗蚀剂和抗蚀剂下层对EUV辐射都是光敏的。
主权项：1.一种用于光刻设备的衬底布置，所述衬底布置包括：抗蚀剂；光敏的抗蚀剂下层；以及衬底；其中所述抗蚀剂下层的曝光阈值低于所述抗蚀剂的曝光阈值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 用于光刻设备的抗蚀剂下层
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