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申请/专利权人:云南大学
摘要:本发明公开一种铁电畴结构的Ⅲ‑Ⅵ二维材料的制备方法,属于二维铁电半导体材料技术领域。本发明首先将片状PDMS拉伸、固定在载玻片上,然后将载玻片上的PDMS采用等离子化学气相沉积进行氩离子轰击,使其表面形成间距规律有序的条纹。然后采用机械剥离的方法将Ⅲ‑Ⅵ二维材料剥离并转移至表面形成间距规律有序条纹的PDMS面上。本发明所述方法能够成功制备出宽度在0.5~2μm,长度在5μm及以上范围内的条纹铁电畴。
主权项:1.一种铁电畴结构的Ⅲ-Ⅵ二维材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1将片状PDMS拉伸、固定在载玻片上,然后将载玻片上的PDMS采用等离子化学气相沉积进行氩离子轰击,使其表面形成间距规律有序的条纹;2用蓝膜胶带将Ⅲ-Ⅵ二维材料块状晶体机械剥离6-8次后,再将PVC胶带覆盖到蓝膜胶带上,以将剥离的材料转移至PVC胶带上;3将步骤2最终得到的PVC胶带覆盖到PDMS的条纹面上,然后放置到加热台上加热,待PDMS冷却后揭下PVC胶带,得到铁电畴结构的Ⅲ-Ⅵ二维材料。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 云南大学 一种铁电畴结构的Ⅲ-Ⅵ二维材料的制备方法
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