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申请/专利权人：北京忆芯科技有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种DRAMLess存储设备实现预读的方法，涉及存储设备技术领域。该预读处理方法包括：响应于待处理命令为预读命令，判断所述预读命令指示的至少一个第一物理地址是否命中第二物理地址；在所述第一物理地址未命中所述第二物理地址的情况下，生成所述预读命令对应的第一存储介质访问命令；将所述第一存储介质访问命令发送至非易失性存储器，其中，所述第一存储介质访问命令用于指示所述非易失性存储器从所述第一物理地址对应的物理页中读取数据并存储在对应的页缓存中。该预读处理方法通过将预读命令所预读的数据缓存在页缓存中，在实现通过预读功能提升读命令的性能的同时，降低产品成本或功耗。
主权项：1.一种预读处理方法，其特征在于，包括：响应于待处理命令为预读命令，判断所述预读命令指示的至少一个第一物理地址是否命中第二物理地址；在所述第一物理地址未命中所述第二物理地址的情况下，生成所述预读命令对应的第一存储介质访问命令；将所述第一存储介质访问命令发送至非易失性存储器，其中，所述第一存储介质访问命令用于指示所述非易失性存储器从所述第一物理地址对应的物理页中读取数据并存储在对应的页缓存中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京忆芯科技有限公司 DRAM Less存储设备实现预读的方法
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