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申请/专利权人：苏州大学
摘要：本发明公开了单晶硅翻转超构表面及柔性单晶硅超构表面的制备方法，单晶硅翻转超构表面的制备包括以下步骤：在顶硅层完成微纳结构的SOI片表面涂覆一层聚合物薄膜，将含有聚合物薄膜的SOI片浸没于HF中，当SOI片的中间氧化硅层被HF完全腐蚀后，将SOI片浸没于水中，包裹有单晶硅纳米粒子阵列的聚合物薄膜漂浮在水面上，将其180°翻转后转移至目标衬底上，得到所述单晶硅翻转超构表面。本发明方法与湿法转移结合，将超构表面进行翻转使其直接暴露在空气中，使得表面更加平坦，方便与二维材料、量子点等材料的直接集成。此外，本发明还提供了柔性单晶硅超构表面和间隙可调的单晶硅叠层超构表面的制备方法。
主权项：1.一种单晶硅翻转超构表面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤I：将由顶硅层、氧化硅层和硅基底层键合在一起的绝缘衬底硅片表面进行纳米结构化处理，将所述绝缘衬底硅片的顶硅层制作成单晶硅纳米粒子阵列，在所述单晶硅纳米粒子阵列的表面涂覆一层聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的厚度为500nm～1μm，所述聚合物不溶于水且不与氢氟酸反应；步骤Ⅱ：使用氢氟酸溶液去除绝缘衬底硅片的氧化硅层；步骤Ⅲ：将步骤Ⅱ得到的包裹有单晶硅纳米粒子阵列的聚合物薄膜和硅基底层转移到水中，使所述包裹有单晶硅纳米粒子阵列的聚合物薄膜漂浮在水面上以与硅基底层分离；步骤Ⅳ：将所述包裹有单晶硅纳米粒子阵列的聚合物薄膜180°翻转；步骤Ⅴ：将180°翻转后的包裹有单晶硅纳米粒子阵列的聚合物薄膜转移至目标衬底上，并干燥；步骤Ⅵ：通过加热的方式将所述180°翻转后的包裹有单晶硅纳米粒子阵列的聚合物薄膜固定在所述目标衬底上，得到所述单晶硅翻转超构表面。
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