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基于同轴静电纺丝基体接枝生长刺状聚吡咯导电相的压阻传感器及其制备方法 

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申请/专利权人:浣江实验室;浙江大学

摘要:本发明公开了一种基于同轴静电纺丝基体接枝生长刺状聚吡咯导电相的压阻传感器及其制备方法。所述压阻传感器由压敏层、电极层与封装层三层组成;所述压敏层基体为同轴微米纤维膜,由弹性体外壳和高Tg聚合物内芯通过同轴静电纺丝制备得到;所述压敏层是由同轴微米纤维膜基体上面原位接枝基于质子酸掺杂的多巴胺辅助生长刺状聚吡咯;所述传感器利用压敏层,在不同压力的作用下,由于接枝了导电相的纤维接触不同而呈现出不同的有效电阻从而实现传感作用。本发明的传感器灵敏度高、信号稳定性好,具有较好的应用前景。

主权项:1.基于同轴静电纺丝基体接枝生长刺状聚吡咯导电相的压阻传感器,包括压敏层、电极层和封装层,其特征在于,所述压敏层是在微米纤维膜基体上原位接枝基于多巴胺化学接枝生长刺状聚吡咯导电相得到的导电纤维膜;所述微米纤维膜通过同轴静电纺丝制得。

全文数据:

权利要求:

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