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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：公开一种用于通过连续柴可斯基Czochralski方法生长单晶硅锭的方法。熔体深度及热条件在生长期间是恒定的，这是因为硅熔体在其被消耗时被连续补充，且坩埚位置是固定的。临界vG由热区配置确定，且在生长期间连续补充硅到熔体实现在锭的主体的基本部分的生长期间锭以与所述临界vG一致的恒定提拉速率生长。
主权项：1.一种通过连续柴可斯基方法制备单晶硅锭的方法，所述方法包括：将多晶硅的初始装料添加到坩埚；加热包括多晶硅的所述初始装料的所述坩埚以引起在所述坩埚中形成硅熔体，所述硅熔体包括熔融硅的初始体积且具有初始熔体高度水平；使硅晶种与硅熔体接触；抽出所述硅晶种以生长颈部部分，其中在所述颈部部分的生长期间以颈部部分提拉速率抽出所述硅晶种；抽出所述硅晶种以生长邻近所述颈部部分的向外张开晶种锥，其中所述硅晶种在所述向外张开晶种锥的生长期间以晶种锥提拉速率抽出；及抽出所述硅晶种以生长邻近所述向外张开晶种锥的所述单晶硅锭的主体，其中所述硅熔体包括所述单晶硅锭的所述主体的生长期间的熔融硅的体积及熔体高度水平；其中所述单晶硅锭的所述主体在初始可变主体提拉速率条件下生长，所述初始可变主体提拉速率条件具有其中提拉速率从第一提拉速率减小至第二提拉速率的第一可变区以及其中所述提拉速率从所述第二提拉速率增大至恒定主体提拉速率的第二可变区，其中所述单晶硅锭的所述主体针对所述单晶硅锭的所述主体的长度的小于20％在所述初始可变主体提拉速率条件下生长且在针对所述单晶硅锭的所述主体的所述长度的至少30％的生长期间以所述恒定主体提拉速率生长，其中所述恒定主体提拉速率是足以避免在所述单晶硅锭的所述主体的所述长度的至少70％内的经凝聚点缺陷的恒定临界提拉速率；其中将多晶硅连续给料到所述坩埚以借此在所述单晶硅锭的所述主体的生长期间补充所述坩埚中的熔融硅的体积及熔体高度水平；且其中在所述单晶硅锭的所述主体的生长期间将磁场施加到所述硅熔体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 使用连续柴可斯基(CZOCHRALSKI)方法生长单晶硅锭的方法
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