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申请/专利权人：江苏卓远半导体有限公司
摘要：本发明公开一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统及其使用方法，包括投影组件、监测组件以及数据处理组件；投影组件包括投影仪和一号反射镜，反射镜设置在硅单晶炉的一号观察口上方，投影仪固定在硅单晶炉上方，投影仪的发射口对准反射镜的反射面；监测组件为CCD摄像头和二号反射镜，二号反射镜安装在硅单晶炉的二号观察口上方，CCD摄像头固定在硅单晶炉的上方，CCD摄像头的拍摄口对准二号反射镜的反射面。本发明的有益效果是：本技术方案在长晶过程中可以实时监控硅溶液高，通过图像分析识别，来确定实施高度并实时调整时硅溶液的实时高度与基准高度一致，无需实时测算实际高度，降低了数据处理中心的运行内存，提高了计算效率。
主权项：1.一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统，其特征在于：包括投影组件、监测组件以及数据处理组件；所述投影组件包括投影仪100和一号反射镜110，所述反射镜设置在硅单晶炉的一号观察口上方，所述投影仪100固定在硅单晶炉上方，所述投影仪100的发射口对准反射镜的反射面；所述监测组件为CCD摄像头200和二号反射镜210，所述二号反射镜210安装在硅单晶炉的二号观察口上方，所述CCD摄像头200固定在硅单晶炉的上方，所述CCD摄像头200的拍摄口对准二号反射镜210的反射面；所述数据处理组件包括储存单元、分析单元以及控制单元，所述投影组件和监测组件均与数据处理组件电性连接。
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百度查询： 江苏卓远半导体有限公司 一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统及其使用方法
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